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介質損耗因素tgδ試驗設備選取及試驗方法

介質損耗因素tgδ試驗

其原理在前面已經講過,tgδ是IR/IC的比值,它能反映電介質內單位體積中能量損耗的大小,只與電介質的性質有關,而與其體積大小尺寸均沒有關系。因此,tgδ的測試目的,也是能夠有效地發現設備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。

對小電容設備,如套管、互感器(電容式)也能夠發現內部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。但要說明一點的是,針對大電容的設備如變壓器、電纜等進行 tg6的測量時,只能發現他們的整體分布性缺陷,而其局部集中性的缺陷可能不會被發現:而對于套管、互感器等小電容量的設備測tgδ能有效地發現其局部集中性和整體分布性的缺陷。這也是大型變壓器不僅要單獨測試引出線套管的 tgδ也要測套管連同繞組的介損tgδ,就是因為套管若有缺陷時在整體絕緣良好時不能體現出來。

介質損耗測試儀

設備的選取及常規試驗方法:

因為精度和靈敏度的原因,測變壓器和一般套管的介損時(包括電容式CT),應采用介損測試儀,而當測試電容式PT電容量和tgδ時,可采用異頻介損測試儀,它介紹了CVT的中壓電容C的測試方法,比較方便 (自激法)。兩者的原理前者是通過比較內部標準回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差,后者是電橋原理,離散傅立葉算法。

一般接線形式主要有二種:

正接法:適用于測量兩相對地絕緣的設備,測試精度較高,如套管和電容式CT的主絕緣tgδ,耦合電容的的 tgδ 等;

反接法:適用于測量一級接地的設備,儀器的外殼必須接地可靠,如變壓器連同套管和繞組的tgδ,套管和電容CT的末屏tgδ等。另外還有自激法,對角接線等,不同的試驗設備均有不同的接線形式,取決于現場環境及標準設備。

需要說明的是現場試驗時要創造條件,力求測試精度,如主變高低壓側套管的tgδ測試必須要用正接法,應要求安裝單位制作測試平臺,以達到兩極絕緣的條件。對于CVT中壓電容的tgδ測試,應充分理解儀器的操作程序,按照其說明,操作規程進行試驗。

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